이 기사는 2025년 06월 12일 14시30분 thebell에 표출된 기사입니다

SK하이닉스가 10nm급 6세대 D램(1c D램) 투자를 늦춘다. 수요 가시성과 수익성이 높은 고대역폭메모리(HBM) 생산에 집중하기 위한 목적이다.

업계에서는 SK하이닉스가 1c D램 램프업(생산량 확대)을 HBM4E 양산 시점에야 진행할 것으로 보고 있다. HBM4E부터 1c D램을 코어 다이로 활용하기 때문이다. 올해 하반기 양산 예정인 HBM4의 경우 코어 다이로 10nm급 5세대 D램(1b D)램을 사용한다.

12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 1c D램 장비 발주 속도 조절에 나설 예정이다. 1c D램은 SK하이닉스가 지난해 9월 개발 완료한 11nm급 D램이다. DDR5 기준 이전 세대 제품 대비 전력 효율이 9%, 동작 속도가 11% 개선됐다

SK하이닉스가 1c D램 양산 라인 셋업을 미루는 것은 엔비디아를 비롯한 주요 인공지능(AI) 반도체 기업들의 HBM 주문이 밀려들어오고 있어서다. 이들 기업들은 메모리 3사 중 SK하이닉스의 HBM을 가장 선호하는 경향을 보이고 있다.

HBM은 일반 D램 대비 수익성이 3~5배 높은 것으로 전해진다. 현재 HBM3 8단(24GB)과 HBM3E 8단(36GB) 제품의 경우 각각 200달러 초반대, 300달러 후반대에서 거래되고 있다. 또 SK하이닉스 등 기업들이 올해 하반기부터 양산을 목표하고 있는 HBM4 12단 제품 가격의 경우 600달러를 상회할 것으로 예상된다.

상황이 이런 만큼 SK하이닉스는 HBM3E, HBM4 코어 다이로 활용할 수 있는 1b D램 생산능력(CAPA) 확장에 집중하고 있다. 하반기 준공을 마칠 M15X에도 1b D램 양산 라인이 셋업된다.

SK하이닉스는 4월 열린 1분기 컨퍼런스콜에서 "현재의 불확실한 대외 환경을 고려하여 기존에 강조한 바와 같이 수요 가시성이 높고 수익성이 확보된 제품 중심으로 투자를 집행하고 투자 효율성을 한층 더 강화해 나갈 것"이라고 밝히기도 했다.

업계에서는 SK하이닉스가 HBM4E를 양산하는 시점에야 1c D램 램프업을 진행할 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 HBM4E부터 1c D램을 코어 다이로 활용할 계획인 것으로 알려져 있다.

반도체 장비 업계관계자는 "주요 AI 반도체 기업의 HBM4 수요가 예상보다 늦어지고 있다"며 "이렇게 되면 HBM4E 양산도 미뤄질 가능성이 크다"고 설명했다. 이어 "수요, 수익성 등을 고려하면 SK하이닉스에서는 굳이 1c D램 투자를 서두를 필요가 없다"고 부연했다.

반면 경쟁사인 삼성전자는 현재 월 수만장 규모의 1c d램 양산 라인을 셋업 중인다. HBM4 코어 다이 양산을 위한 투자다. 삼성전자는 SK하이닉스, 마이크론과 달리 HBM4 코어 다이로 1c D램을 활용한다. 삼성전자의 경우 올해 3분기 내 HBM4 샘플 출하를 목표하고 있는 것으로 전해진다.