이 기사는 2025년 10월 01일 15시43분 thebell에 표출된 기사입니다

스틱벤처스가 질화갈륨(GaN) 전력반도체 및 마이크로LED 광원 전문 기업 웨이브로드에 팔로우온 투자를 단행했다. 특히 GaN 에피택시 기술력과 마이크로LED 양산 경쟁력이 향후 시장 확대를 견인할 핵심 요인이라는 점에 주목했다.

1일 벤처투자 업계에 따르면 스틱벤처스는 최근 웨이브로드에 20억원을 투자했다. 하우스는 앞서 지난해에도 10억원을 납입했다. 팔로우온 투자 배경으로는 GaN 에피택시 웨이퍼 매출 증가세, 마이크로LED 양산 제조 기술력, 관련 시장의 고성장 가능성이 꼽힌다.

웨이브로드는 2019년 설립된 차세대 반도체 소재 전문 기업으로 GaN 기반 전력반도체 에피택시 웨이퍼와 마이크로LED 칩 광원 사업을 영위한다. 에피택시는 반도체 공정의 핵심 기술로 결정 웨이퍼 위에 원자 단위를 쌓아 올려 얇은 단결정 막을 형성하는 방식이다. 웨이브로드는 이종 기판 위에 GaN을 안정적으로 증착하는 고난도 에피택시 기술을 확보하고 있으며 국내외 5개 고객사와 RF(고주파)용 GaN 웨이퍼 품질 평가를 진행 중이다. 국내 방산 대기업과도 최종 테스트 단계에 들어섰다.

GaN 소재는 실리콘 대비 전력 효율이 높고 고온·고전압에 강한 특성을 갖는다. 전기차, 5G·6G 통신, 데이터센터, 방산, 우주항공 등 다양한 분야에서 수요가 빠르게 늘고 있다. 특히 전력 변환 효율이 높아 충전기, 서버 전원 등에서 에너지 절감과 소형화 효과를 가져온다는 점이 강점이다.

웨이브로드는 마이크로LED 칩 광원 소자에서도 입지를 넓히고 있다. 최근 5000억원 규모의 유기발광 디스플레이 관련 국책 과제에 선정되며 산업 성장 기대감을 높였다. 삼성전자와 주요 디스플레이 업체에 이미 제품을 공급하고 있으며 이를 기반으로 공급망을 빠르게 확대해 나가고 있다.

또 민간·국방용 고주파 무선 통신 시스템에 필요한 고출력 전력증폭기용 에피택시 웨이퍼 소재를 국내 최초로 양산한다는 목표를 세웠다. 내년 상반기까지 4인치와 6인치급 전력증폭기용 에피택시 웨이퍼 개발을 마무리하고 양산 체제를 갖출 계획이다. 더해서 최근 확보한 6인치 스위칭용 고출력 파워 GaN 에피택시 레시피를 바탕으로 내년 말까지 8인치급 기술 개발을 완료할 방침이다.

지난 7월에는 마이크로LED 칩 파운드리 서비스를 위한 생산설비도 새롭게 구축했다. 국내 대형 디스플레이 업체로부터 개발 요청을 받아 기술을 고도화하고 있으며 무기발광 디스플레이 패널 제작 수요에 맞춰 내년 초부터 생산 물량을 확대해 나갈 예정이다.