이 기사는 2025년 09월 01일 16시43분 thebell에 표출된 기사입니다

미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 내 공장에 대한 미국산 장비 반입 규제를 강화하면서 삼성전자가 추진하던 시안 'M팹' 신설 계획이 유탄을 맞는 게 불가피해졌다.

M팹은 낸드 세대 전환 과정에서 늘어나는 추가 공정을 소화하기 위해 삼성전자가 구축 중인 신규 라인이다. 생산 효율화를 위한 핵심 시설인 만큼 이를 확보하지 못하면 시안 팹에서 공정 병목현상이 발생할 가능성이 크다.

미 상무부 산업안보국(BIS)은 지난달 29일 VEU 명단에서 중국 법인인 '삼성 반도체 유한공사', 'SK하이닉스 반도체 유한공사' 등을 제외할 것이라고 밝혔다.

VEU는 별도의 허가 절차나 기간 제한 없이 미국산 장비를 공급할 수 있도록 허용하는 예외적 지위를 의미한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 VEU를 받아 극자외선(EUV) 노광 장비 등을 제외한 반도체 장비를 중국 내 반도체 공장에 들여왔다.

VEU 철회에 따라 내년 1월부터 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 내 팹에 미국산 반도체 제조 장비를 반입할 때 매 건마다 허가 절차를 거쳐야 한다. 미 관보는 이 같은 조치가 관보 정식 게시일(2일)로부터 120일 후부터 실행된다고 설명했다.

업계에서는 미 정부의 VEU 철회로 삼성전자의 시안 팹 투자 계획이 변동될 것으로 보고 있다. 현재 삼성전자는 시안 팹의 6세대(128단) 낸드 생산 라인을 9세대 낸드 생산 라인으로 순차적으로 전환하는 작업을 진행 중이다. 이를 위한 협력사 엔지니어들도 다수 파견된 것으로 전해진다.

다만 미 정부의 VEU 철회로 9세대 낸드 전환 작업이 전면 완료되기는 어려울 전망이다. 초기 V9 전환 라인 규모는 월 수천 장 수준인 것으로 파악됐다.

여기에 최근 진행 중인 M팹 프로젝트도 좌초될 확률이 높다. M팹은 삼성전자가 생산 효율성을 높이기 위해 활용하는 시설이다. 삼성전자는 과거 화성에서 D램 메탈 공정에 M팹을 운영한 바 있다.

9세대 낸드 생산에는 6세대 대비 훨씬 더 많은 공정이 요구된다. 특히 식각과 증착 공정의 스텝 수가 크게 늘어나 기존 생산능력(CAPA)을 유지하려면 추가 공간 확보가 불가피하다. 이에 따라 삼성전자는 일부 공정을 M팹에서 분산 처리하는 방안을 구상한 것으로 보인다.

삼성전자 사안에 밝은 한 관계자는 M팹에 대해 "낸드 증설을 위한 프로젝트는 아닌 것으로 알고 있다"며 "세대 전환에 따라 필요한 추가 공정을 수행하기 위한 시설로 보인다"고 말했다.

삼성전자 뿐 아니라 SK하이닉스의 생산 전략 재편도 불가피해 보인다. SK하이닉스는 현재 중국 다롄과 우시 지역에 반도체 팹을 운영 중이다. 다롄에서는 구세대로 평가되는 192단 낸드를 생산하고 있다. 향후 클라우드 서비스 프로바이더(CSP) 수요에 대응하려면 해당 시설의 테크 마이그레이션이 필수적이다.