[IR Briefing]삼성전자, 파운드리 정상화…'엑시노스' 본격 양산갤럭시Z 플립 7 탑재, 차세대 AP 2nm 리스크 프로덕션 돌입
노태민 기자공개 2025-05-02 07:41:20
이 기사는 2025년 04월 30일 14시37분 thebell에 표출된 기사입니다
삼성전자가 차세대 애플리케이션프로세서(AP) 엑시노스 2600 양산을 시사했다. 내년 출시 예정인 플래그십 스마트폰 갤럭시 S26에 탑재하는 게 목표다. 갤럭시 S26 출시 일정 등을 고려하면 2분기 내 엑시노스 2600 리스크 양산을 시작할 것으로 예상된다.3nm 공정을 통해 양산 중인 엑시노스 2500은 갤럭시 Z 플립 7에 탑재할 계획이다. 이에 따라 시스템 LSI 사업부와 파운드 사업부의 실적 반등이 이뤄질 것으로 기대된다.
◇엑시노스 2500 초도 물량, MX 사업부에 공급
삼성전자는 2025년 1분기 DS부문이 매출 25조1000억원, 영업이익 1조1000억원을 거뒀다고 28일 밝혔다. 매출은 전기 대비 17% 줄었고 전년 동기 대비 9% 증가했다. 영업이익은 전기 대비 1.8%, 전년 동기 대비 0.8% 감소했다.
삼성전자 DS부문의 영업이익 감소에는 비메모리 사업 영업손실 확대가 영향을 미쳤다. 특히 삼성전자의 스마트폰에 엑시노스 2500 탑재가 미뤄지면서 파운드리 사업부에 이어 LSI 사업부까지 실적이 악화됐다. 당초 삼성전자는 1월 출시한 갤럭시 S25에 엑시노스 2500 탑재를 계획하고 있었으나 제품 성능, 수율 등을 이유로 공급이 무산됐다.

다만 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 플래그십 스마트폰 갤럭시 플립 7부터 자사 AP를 탑재한다는 계획이다. 이날 열린 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서도 "주요 고객사의 플래그십 모델에 시스템온칩(SoC)을 적용하겠다"며 엑시노스 2500 공급을 에둘러 언급했다.
삼성전자는 1분기부터 차세대 갤럭시 플립 탑재를 목표로 엑시노스 2500 양산을 시작했었다. 초도 물량은 이미 모바일경험(MX) 사업부로 전달된 것으로 전해진다. 갤럭시 폴드 7에는 퀄컴 스냅드래곤을 적용한다.
차세대 AP인 엑시노스 2600 양산도 준비 중이다. 1분기 시생산에 이어 2분기 리스크 양산에 들어간다. 삼성전자는 이에 대해 "2nm 게이트올어라운드(GAA) 공정 수율 개선과 안정화에 집중해 양산 준비를 차질 없이 진행했다"며 "2nm 1세대 GAA 공정 양산을 시작하고 2나노 2세대 고객사 수주에 박차를 가하겠다"고 말했다.
선단 공정뿐 아니라 4nm 이상 성숙 공정 수익성 개선에도 나선다. 회사는 "성숙 공정 사업에서는 파워 성능, 원가 경쟁력 등을 최적화하고 스페셜티 공정 개발로 원가 경쟁력 극대화 및 시장 확대를 추구할 계획"이라며 "이를 통해 기술 경쟁력과 원가 경쟁력을 동시에 확보함으로써 중장기적으로 지속 가능한 실적 개선을 목표로 하겠다"고 강조했다.
◇고성능 메모리, 파운드리 공정 대거 활용 전망
하반기 양산 예정인 고대역폭메모리(HBM)용 로직다이도 파운드리 가동률 상승에 기여할 것으로 예상된다. 이전 세대 HBM까지는 D램 공정을 이용해 로직다이를 생산했지만 HBM4부터는 파운드리 4nm 공정을 통해 로직 다이를 만든다.
또 주요 고객사의 커스텀 HBM 수요가 강해지고 있는 점도 삼성전자 파운드리에 긍정적인 신호다. 삼성전자는 메모리 공정부터 파운드리, 패키지 공정 등을 모두 내재화하고 있어 타사 대비 커스텀 HBM 생산에 유리하다.
삼성전자는 "HBM4의 경우에는 고객사 과제 일정에 맞춰 기존 계획과 같이 하반기 양산 목표로 개발을 진행하고 있다"며 "업계의 관심이 높은 커스텀 HBM 또한 HBM 4 및 HBM 4E 기반 과제로 복수의 고객들과 협의가 진행되고 있다"고 설명했다. 이어 "현재 커스텀 HBM4의 일부 과제는 스탠다드 HBM4와 더불어 26년부터 판매에 기여할 것으로 기대된다"고 부연했다.
이외에도 2020년대 후반 양산 예정인 버티컬채널트랜지스터(VCT) D램에도 파운드리 공정을 활용한다는 방침이다. D램이 스케일링 한계에 부딪힐 것으로 보고 D램의 페리(Peri) 영역을 파운드리 핀펫(FinFET) 공정을 통해 생산하겠다는 계획이다.
메모리 업계 고위관계자는 "HBM 로직다이 외에도 메모리 영역에서 파운드리 공정을 활용하는 사례가 늘어날 것으로 보고 있다" 며 "여기에 더해 D램, 낸드에 웨이퍼 본딩 등 어드밴스드 패키지 기술도 적용될 것"이라고 전망했다.
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