이 기사는 2023년 06월 28일 15시58분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 '2025년 2나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정 도입과 8인치(200㎜) GaN(질화갈륨) 양산' 비전을 제시했다. '5년 내 세계 1위 파운드리 TSMC를 따라잡겠다'는 목표를 달성하기 위한 전략을 구체화한 것이다.

28일 삼성전자가 미국 실리콘밸리 '삼성파운드리포럼 2023'에서 공개한 파운드리 전략 로드맵의 핵심은 초미세공정 기술 선점이다. 2나노 공정부터는 업계 1위 TSMC와 어깨를 나란히 하겠다는 것이다.

◇초미세공정으로 TSMC 압도

구체적으로 2025년 스마트폰 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC) 공정, 2027년 차량용 공정으로 확대한다는 계획이다. 삼성전자는 "SF2 공정은 SF3 대비 성능은 12%, 전력효율은 25% 각각 향상되고 면적은 5% 감소한다"며 "또 2027년 1.4나노 양산을 통해 기술 리더십을 이어 나갈 예정"이라고 말했다.

삼성전자는 TSMC와의 시장점유율 격차를 단번에 뒤집을 승부수가 '초격차 기술'에 있다고 보고 있다. 앞서 TSMC보다 먼저 1.4나노 공정을 도입해 고객사를 유인하겠다는 전략을 공개한 바 있다. 이를 위해 단계적으로 2025년 2나노 공정 도입 구상을 밝힌 바 있지만 구체적인 제품별 양산 계획을 제시한 건 이번이 처음이다.

경계현 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 사장이 지난달 초 "파운드리는 TSMC가 우리보다 훨씬 잘한다"면서도 "2나노로 가면 TSMC와 어깨를 나란히 할 수 있다. 5년 안에 TSMC를 따라잡겠다"고 밝힌 뒤 좀 더 구체화한 전략을 제시한 것이다.

삼성전자는 지난해 6월 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노 제품 양산에 성공하며 기술 경쟁력을 증명해 보인 바 있다. TSMC보다 먼저 세계 최초로 3나노 양산을 시작한 자신감을 바탕으로 1나노대 초미세 공정에서도 우위를 점하겠다는 그림이다.
◇8인치 GaN 비전 첫 제시

또 삼성 파운드리는 이번에 GaN 기반 전력반도체 파운드리 사업에 대한 구상도 처음으로 직접 밝혔다. 최 사장은 "2025년 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브(차량용) 향으로 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다"고 발표했다.

GaN 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 대비 고전압, 고전류, 고온에서 동작이 가능해 전기자동차와 데이터센터 시장이 커질수록 수요가 크게 늘 것으로 점쳐지는 '블루오션'이자 반도체 업계의 미래 먹거리로 평가받는다. 앞서 삼성전자는 사내 '전력반도체 태스크포스(TF)'를 구성하고 GaN 사업화에 대해 연구해왔는데, 사업을 점차 구체화하고 있는 것으로 보인다.

TSMC를 압도할 파운드리 경쟁력을 확보하려면 고객사 다변화가 중요한 만큼, 스페셜티(특화) 공정을 도입해 고객사를 다변화하고 최첨단 공정기술을 선점해 대형 고객사를 유인하는 데 전략의 방점이 찍혀 있는 것으로 보인다.