이 기사는 2016년 04월 26일 11:43 thebell 에 표출된 기사입니다.

SK하이닉스가 올해 연구개발(R&D) 투자 규모를 늘려 기술개발에 주력하겠다는 방침을 세웠다. 메모리 반도체 수요 감소에 따른 시황 악화를 극복하기 위해서는 기술개발을 통한 원가경쟁력 확보가 필수적이란 판단 때문이다. 다만 올해 전체 투자 규모는 전년보다 소폭 감소할 전망이다.

SK하이닉스는 26일 1분기 경영실적을 발표한 후 김준호 경영지원부문장(사장) 주관으로 컨퍼런스콜을 진행했다. 이 자리에서 회사 관계자는 올 투자계획과 관련해 "지난해 투자지출(CAPEX) 규모가 6.6조 원이었는데 올해는 이보다 감소할 것으로 보인다"며 "D램 설비투자가 감소하는 대신 연구개발(R&D) 투자를 늘리고 특히 1X(10나노급) D램 개발 시간 단축에 집중할 예정"이라고 밝혔다.

이 관계자는 이어 "2·3분기에 3D 낸드 투자가 본격화될 것"이라며 "전체 CAPEX 규모는 상황에 따라 유동적으로 조절할 예정"이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 경기 이천에 신설한 M14 공장 2층에 내년 상반기까지 3D 낸드플래시 설비를 구축할 계획이다. 회사 관계자는 "하반기에 공사에 착수해 내년 상반기 완공 계획을 세우고 있다"며 "3D 낸드 시장 전개 방향에 따라 공사 일정은 유연하게 검토할 예정"이라고 설명했다.

M14 공사로 인해 올 연말까지는 청주에 위치한 M12에서 3D 낸드플래시를 생산할 예정이며, 생산능력의 10% 가량은 차세대 제품인 48단 3세대 3D 낸드가 차지할 전망이다.

SK하이닉스가 기술개발 주력 방침을 천명한 것은 공급과잉 현상이 나타나고 있는 메모리 반도체 시장의 어려운 시황 극복을 위해선 공정 미세화를 통한 원가 경쟁력 확보가 필수적이기 때문이다.

회사 관계자는 "2분기부터는 서버와 모바일 수요가 늘어 시장 상황이 1분기보다는 나아질 것으로 예상되나 시장의 전반적 개선에는 시간이 더 필요할 것으로 보인다"고 전망했다. 이어 "업체마다 상황이 달라 수요 감소에 대응하는 방법론에도 차이가 있는데, 당사의 경우 원가 경쟁력 향상을 최우선 목표로 두고 기술 개발에 집중한다는 전략을 세우고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 D램의 경우 2분기부터 20나노급 제품 양산과 공급을 본격적으로 시작해 하반기부터는 주력 제품이 될 수 있도록 설비를 운용할 계획이다. 낸드플래시의 경우 2세대 3D 낸드 제품을 2분기부터 고객에게 공급할 예정이며, 3세대(48단) 제품은 하반기 중 개발해 양산에 나설 수 있도록 준비 중이다.

SK하이닉스 관계자는 "20나노 D램 제품이 올 연말 기준 가장 의미있는 제품이 될 것이며, 낸드플래시의 경우 2세대(36단) 기반의 1테라바이트급 SSD 제품 매출이 2분기부터 발생할 예정"이라고 밝혔다. 그는 "3세대 3D 낸드 제품은 2분기 안에 내부인증을 거쳐 하반기부터 양산에 돌입할 수 있도록 차분히 준비하고 있다"고 설명했다.